Кремний

ОАО «Восход-КРЛЗ» — Калужский радиоламповый завод - Продукция
Эпитаксиальные структуры GaAlAs для светоизлучающих диодов. Выращиваются методом жидкофазной эпитаксии на подложках арсенида галлия.
voshod-krlz.ru

С уважением,
Александр

www.ros-gosreserv.ru

8(499)409-29-37
8(926)803-96-57
Кремниевая структура А Ø 60 – 22 кэф 0,6 ТУ-48-4-298-74 1990 шт 46
2 Кремниевая структура Б Ø 60 – 22 кэф 0,6 ТУ-48-4-298-74 1990 шт 80
3 Кремниевая структура В Ø 60 – 22 кэф 0,6 ТУ-48-4-298-74 1990 шт 136
4 Кремниевая структура Г Ø 60 – 22 кэф 0,6 ТУ-48-4-298-74 1990 шт 251
5 Структуры эпитаксиальные p-i-n ТТО.046.053 ТУ 1990 шт 2,616
6 Кремниевые однослойные эпитаксиальные структуры А 60 – 6 кэф 0,01 ТУ-48-4-298-74 1991 шт 33
7 Кремниевые однослойные эпитаксиальные структуры Б 60 – 6 кэф 0,01 ТУ-48-4-298-74 1991 шт 70
8 Кремниевые однослойные эпитаксиальные структуры В 60 – 6 кэф 0,01 ТУ-48-4-298-74 1991 шт 396
9 Кремниевые однослойные эпитаксиальные структуры Г 60 – 6 кэф 0,01 ТУ-48-4-298-74 1991 шт 279

Арсенид-галлиевые эпитаксиальные структуры
16,110
10 ЭМСАГ 1-В ТУ 48-4-410-78 1987 см.кв. 7,940
11 ЭСАГА 49-1 ЯеО.032.049 ТУ 1992 см.кв. 2,056
12 ЭСАГА 60 ЯеО.032.060 ТУ 1991 см.кв. 113
13 ЭСАГА 73 ЯеО.032.073 ТУ 1991 см.кв. 1,616
14 ЭСАГА 74 ЯеО.032.074 ТУ 1992 см.кв. 3,626
15 ЭСАГА 76-13 ЕТО.035.380 1991 см.кв. 760

Кремний монокристаллический


258.91
16 ЗАЗКЭФ0,5-42.5 n/n n/n кг 3.04
17 ЗБ2КЗМ 0,1-42,5 n/n n/n кг 11.4
18 ЗА2КДБ 0,01-62,5 n/n n/n кг 2.86
19 ЗА2ККДБ 0,01-60 n/n n/n кг 0.54
20 ЗБ2КЭС 0,01-42,5 n/n n/n кг 6.27
21 ЗА1ШКДВБ 0,005-60 n/n n/n кг 1.99
22 ЗА1ККДБ 0,02-60 n/n n/n кг 4.17
23 ЗА1 ШКДБ 0,05-42,5 n/n n/n кг 0.94
24 3Б3 к КЭС 0,01-60 n/n n/n кг 22.6390
25 3Б2 к КЭС 0,01-60 n/n n/n кг 44.2890
26 ЭКДБ 0,005 - 2 ак1 n/n n/n кг 24.6420
27 ЭКЭС 0,01 - 11 ак1 n